由海外歸國技術專家和國內功率半導體行業頂尖產品開發團隊創辦，致力于開發新一代節能高效碳化硅功率芯片和模塊，在功率半導體和碳化硅材料器件領域擁有十多年的技術積累。中瑞宏芯半導體持續提升企業創新能力和核心競爭力，與蘇州第三代半導體研究院共同打造碳化硅材料與芯片生產研發基地，自建工程實驗中心，并在瑞典設有海外銷售和研發中心，以創新驅動產業升級，自主研發的碳化硅肖特基二極管和碳化硅 MOSFET 等產品已達到國際一線，國內領先的水平。
       碳化硅功率芯片在光伏新能源、電動汽車、動車高鐵、電網、工業和消費級電源等領域應用前景巨大。以新能源汽車需求為例: SiC芯片是電動汽車的核心, 電機主逆變器，DC/DC變壓器，OBC車載充電器，充電樁等都需要用到碳化硅芯片。
       第一代半導體硅（Si）已不能滿足大功率密度電力電子器件的應用需求；第三代半導體碳化硅（SiC）以優異的材料性能，成為新一代綠色經濟核心半導體材料：
1、高耐壓 — 3倍于硅的禁帶寬度，10倍于硅的擊穿電場強度。
2、低損耗 — 導通電阻降至硅的1/100，高頻開關損耗低。
3、高耐溫 — 硅器件一般工作溫度150℃，SiC器件理論可達600℃。
4、高導熱率 — 器件散熱性能佳，可縮小或省去系統冷卻部分。